Laser 脿 fibre moyen infrarouge de pr茅cision:
Retirer. Nettoyer. S茅parer.
Une longueur d’onde que le rev锚tement absorbe et que la pi猫ce n’absorbe pas. Des lasers 脿 fibre moyen infrarouge pour retirer des couches organiques sans contact et sans produit chimique, sur des composants 脿 forte valeur ajout茅e : fibres optiques, assemblages m茅dicaux miniatures, wafers de semiconducteurs.
De la pr茅cision sans contact, sans chimie et sans compromis
En micro-fabrication, l’op茅ration la plus difficile est souvent la plus simple 脿 茅noncer : retirer une couche mince en laissant tout le reste intact. La pi猫ce est finie, co没teuse et sans droit 脿 l’erreur. Une lame laisse des amorces de dommages microscopiques qui se r茅v茅leront plus tard en d茅faillance sur le terrain. L’acide chaud et les solvants imposent des consommables, une gestion des effluents et un proc茅d茅 impossible 脿 localiser. Le plasma traite le lot entier alors qu’une seule zone est concern茅e.
Le laser r茅sout le probl猫me de localisation, mais 脿 condition que la longueur d’onde fasse le travail. La plupart des sources laser industrielles sont absorb茅es par tout, y compris par la pi猫ce qu’il faut prot茅ger, ou presque par rien, ce qui force le proc茅d茅 脿 la force brute.
Les lasers 麻豆视频 茅mettent dans la bande moyen infrarouge, entre 2780 et 3300 nm, o霉 les mat茅riaux organiques absorbent fortement alors que le silicium, le saphir et la silice de qualit茅 optique restent transparents. La couche devient la cible. La pi猫ce devient spectatrice, ce qui donne un proc茅d茅 de retrait de mati猫re hautement s茅lectif.
S茅ries 麻豆视频 2800 et 3200
Des lasers 脿 fibre monomodes con莽us pour l’atelier de production, pas pour la table optique.
S茅lectivit茅 par la longueur d'onde
Les couches organiques absorbent par r茅sonance dans cette bande, contrairement au substrat qui les porte. La s茅lectivit茅 vient de la physique, pas d’un r茅glage fin du proc茅d茅.
Puissance jusqu'脿 10 W (continu ou quasi-continu)
Des cadences de production sur des g茅om茅tries fines, avec un contr么le du format d’impulsion qui maintient la chaleur l脿 o霉 elle doit rester.
Qualit茅 de faisceau pr茅s de la limite de diffraction (M虏<1,3)
Des trac茅s 茅troits, des bords nets et des tol茅rances serr茅es 脿 c么t茅 de structures qui doivent rester intactes.
Sans risque pour les semiconducteurs
Une 茅nergie de photon bien inf茅rieure 脿 la bande interdite du silicium. Aucune injection de charges dans des dispositifs finis, et la possibilit茅 d’atteindre une couche d’interface en traversant le wafer.
Architecture tout-fibre
Aucun alignement critique, une forte tol茅rance aux vibrations, aucun temps de pr茅chauffage. Le laser s’int猫gre aux plateformes de d茅placement existantes et fonctionne avec elles.
S茅rie 麻豆视频 2800
Puissance de sortie jusqu鈥櫭� 10 W | Disponible de 2780 脿 2940 nm
La plateforme de r茅f茅rence pour le retrait des rev锚tements organiques : rev锚tements en fibre, isolants de fils, adh茅sifs, encapsulants et vernis de tropicalisation.
S茅rie 麻豆视频 3200
Puissance de sortie jusqu鈥櫭� 5 W | Disponible de 3100 脿 3300 nm
Une longueur d鈥檕nde plus 茅lev茅e pour les familles de mat茅riaux qui l鈥檈xigent, et pour les mat茅riaux durs pr茅sentant une absorption r茅siduelle dans cette bande.
Applications
- Retrait du rev锚tement de fibres optiques Un d茅gainage sans lame. La surface du verre n’est jamais touch茅e, ce qui pr茅serve la r茅sistance en traction dont d茅pend la dur茅e de vie de l’assemblage.
- D茅nudage de fils et de micro-conducteurs L’isolant est retir茅 de conducteurs fins et de gaines 脿 paroi mince, y compris sur les assemblages miniatures des dispositifs m茅dicaux, sans risque pour le conducteur.
- Lift-off laser et d茅collement de wafers S茅parer les couches en d茅composant les adh茅sifs temporaires 脿 l’interface entre celles-ci, sans force m茅canique et sans dommages aux dispositifs finis.
- Nettoyage de wafers et de surfaces Les r茅sidus organiques sont retir茅s 脿 sec, exactement l脿 o霉 il le faut, sans chimie humide et sans traitement par lot.
- Retrait de rev锚tements en micro-fabrication Les encapsulants, les adh茅sifs et les vernis de tropicalisation sont ouverts de fa莽on s茅lective au-dessus de substrats sensibles.
- S茅paration de mat茅riaux durs (en d茅veloppement) D茅coupe et clivage contr么l茅 de semiconducteurs, de verres techniques et de diamant, en visant une future configuration impulsionnelle. Au stade de l’茅valuation.
Le domaine d'application
Le proc茅d茅 agit sur des couches organiques d茅pos茅es sur des substrats transparents dans le moyen infrarouge : silicium, saphir et silice de qualit茅 optique. La chimie du rev锚tement d茅termine la force avec laquelle la couche absorbe, donc la vitesse et la propret茅 du retrait. Les polym猫res enti猫rement fluor茅s comme le PTFE constituent la principale exception et sont mieux trait茅s 脿 d’autres longueurs d’onde.
D茅crivez-nous votre empilement et nous vous aiderons 脿 identifier la solution appropri茅e.
Laboratoire d'applications
La faisabilit茅 d茅pend de l’empilement r茅el de mat茅riaux, pas d’une fiche technique. Notre laboratoire d’applications, 脿 Qu茅bec, r茅alise des essais sur les 茅chantillons de nos clients et caract茅rise la vitesse de retrait, la s茅lectivit茅 et la zone affect茅e thermiquement avant tout engagement d’int茅gration.
Comparaison technique pour le retrait s茅lectif de couches
| Laser 脿 fibre 麻豆视频 (2800/3200) | CO2 (10.6 碌m) | Excim猫re UV
(248 / 308 nm) |
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| Absorption de la couche | 鈥⑩赌⑩赌� | 鈥⑩赌� | 鈥⑩赌⑩赌� | 鈥� | |
| Pr茅servation du substrat | 鈥⑩赌⑩赌� | 鈥⑩赌� | 鈥⑩赌� | 鈥⑩赌� | |
| R茅solution des motifs | 鈥⑩赌� | 鈥� | 鈥⑩赌⑩赌� | 鈥⑩赌� | |
| Livraison par fibre | 鈥⑩赌⑩赌� | 鈥⑩赌� | 鈥� | 鈥⑩赌⑩赌� | |
| Consommables et entretien | 鈥⑩赌⑩赌� | 鈥⑩赌� | 鈥� | 鈥⑩赌⑩赌� | |
| Encombrement et co没t de possession | 鈥⑩赌� | 鈥⑩赌⑩赌� | 鈥� | 鈥⑩赌⑩赌� | |
| Slide to compare |
Note technique : les lasers CO2 sont compacts et 茅conomiques, mais 脿 10,6 碌m le verre et la silice absorbent autant que le rev锚tement, si bien que le substrat entre en concurrence pour l’茅nergie. 脌 1 碌m, le probl猫me est inverse : la plupart des couches organiques n’absorbent presque pas. Les sources excim猫res retirent efficacement les polym猫res, mais imposent la manipulation de gaz, le remplacement des optiques et des 茅nergies de photon assez 茅lev茅es pour affecter les dispositifs semiconducteurs. Entre 2780 et 3300 nm, le contraste d’absorption entre la couche et la pi猫ce constitue 脿 lui seul le proc茅d茅.
Une longueur d'onde absorb茅e par la couche 脿 retirer, pas par la pi猫ce 脿 pr茅server.
Envoyez-nous votre composant et vos tol茅rances. Notre 茅quipe technique 茅valuera la faisabilit茅 et d茅finira la configuration adapt茅e 脿 votre proc茅d茅.